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Product data sheet Rev. 2 — 5 November 2010 10 of 11
NXP Semiconductors
BAS521
Single high-voltage switching diode
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13.4 Trademarks
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14. Contact information
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BAS716,115 DIODE SW 85V 200MA SOD523
BAS85,135 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80C
相关代理商/技术参数
BAS521,135 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 HI VOLTAGE SWITCHING DIODE 300V 625mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS521,315 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SINGLE HIGH-VOLTAGE SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS521115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 300V SOD-523
BAS521315 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS521-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 High Volt 50ns 300V 100nA Low Leakage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS521LP 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
BAS521LP_11 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
BAS521LP-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 HI VOLT SW DIODES 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube